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　　眾所周知，芯片技術，光刻機一直是我們的短板，被西方卡脖子，這兩年國家在芯片上的投入巨大，也取得了很好的成績，伴隨著百年大慶，實現(xiàn)了民族自豪感。

　　芯片自產自足一直是我國在芯片上的重要目標，本來國家在這一目標的計劃是于2025年初步完成。但是這兩年我國芯片領域從原料到設備再到生產都受到了老美的封鎖限制，整個產業(yè)鏈受到全方面的打擊，也造成了國內芯片技術突破困難，產能難以增加的情況。在這樣的局面下，很多人對于芯片在2025年完成自產自足已經不抱什么期待，更多人認為這一時限需要再往后推遲數年。

　　隨著老美進一步制裁，目前高端的光刻機已經被禁止向國內出售。臺積電打算在南京建廠也因為拿不到解封令，不能將設備搬遷至國內。眼下來看，沒有高端光刻機進入國內，芯片生產的困境還是很嚴重。

　　搞定13.5nm光源!DUV光刻機、14nm芯片量產都在路上了。最近我國內突破了一項技術，可能會給半導體產業(yè)帶來的新的轉機，可以解決目前的主要困難。這項技術就是光刻機使用的光源，在芯片的制作過程中，需要在芯片上不斷雕刻，而雕刻的“筆”就是光源。

　　光源在芯片的生產中有著舉足輕重的位置，沒有光源就無法生產芯片，同時，光源也影響到芯片的工藝水平?，F(xiàn)代光刻機使用的光源已經經過了許多次的更新?lián)Q代，從近紫外光到深紫外光再到極紫外光，對應著一開始的初代二代光刻機，到現(xiàn)在的DUV光刻機和EUV光刻機，技術一直在進步之中。這些光源的更新有一個重要的特性就是波長不斷變短，波長越短，芯片制程水平越高，目前最先進的EUV光刻機可以實現(xiàn)12nm-5nm的芯片制造。而目前世界上使用的最先進的芯片包括蘋果的A14仿生芯片和華為的麒麟9000等都是使用的5nm芯片制程工藝。雖然說三星已經制造出了3nm制程工藝的芯片，但能否應用還是一個未知數。

　　根據國內知情人員報道，我國現(xiàn)在已經解決了13.5nm的光源，也就意味著在生產14nm芯片這個關鍵工藝上，我國已經解決了光源這個核心難題。而最近，國內科研大牛也表示，在明年年底國內可以實現(xiàn)14nm芯片的規(guī)模生產。這可能意味著我國不僅掌握了13.5nm光源技術，也掌握了DUV光刻機其他各種技術，能夠在明年就實現(xiàn)國產DUV光刻機的生產。如果在明年年底實現(xiàn)14nm芯片的規(guī)?；a，對于我國的芯片困境肯定很有大的幫助。

　　應該了解的是，這一次14nm芯片的規(guī)模量產不是簡單地使用已有的光刻機進行生產，而是使用國產光刻機進行生產?，F(xiàn)在我國不是沒有生產14nm芯片的技術，根據中芯國際的消息，我國能風險量產7nm芯片，但是有能力不代表著可以實現(xiàn)量產，因為我們沒有自己的光刻機。而這一次，國內知名大牛所透露的消息卻是不一樣，這說明我國在明年會掌握一條自主的14nm芯片產業(yè)鏈。所以這不僅意味著對我國芯片困境有很大助力，也代表這條芯片產業(yè)鏈難以被老美制裁針對。

　　好消息!光源獲得突破，國產14nm芯片明年底將量產。不過我國雖然即將解決14nm的問題，但是距離頂尖芯片技術還差得很遠，前面也說了頂尖的EUV光刻機可以生產5nm芯片，而IPhone12的發(fā)布也意味目前芯片制造商們已經開始量產5nm芯片。從14nm到5nm，中間至少隔了7nm的技術門檻，所以我國和世界上頂尖的芯片制程工藝還差很多。我國想要短期內實現(xiàn)技術突破，建設更先進制程工藝的芯片產業(yè)鏈，卻是不太可能。因為EUV光刻機和DUV光刻機之間的差距不是一點半點，我國才剛剛能夠生產DUV光刻機，沒有個幾年根本沒可能突破EUV光刻機，而且就算有幾年的時間，也不一定能夠顧生產出來EUV光刻機。

　　不過我們也不用如此悲觀，畢竟EUV光刻機現(xiàn)在的使用并不普遍，市場上所使用的芯片也大部分都歸屬28nm以下的工藝，目前國內14及其以下芯片占據了市場百分之八十以上，而7nm，5nm芯片這樣的技術，還需要很多年才能成為市場主流，擁有更多的市場占有額。

　　所以我們只要能夠實現(xiàn)14nm芯片的量產，便可以很快達到2025年自給自足的目標，屆時我過也不用在老美的制裁之下如此地難受和擔驚受怕，也是能夠在國際芯片市場站穩(wěn)腳跟。以我國第一芯片消費國的位置，國內市場能夠自給自足，就已經能夠為國內的半導體行業(yè)帶來足夠的機遇和利潤，有助于他們在安穩(wěn)中逐漸突破芯片技術，最終實現(xiàn)追趕乃至反超的目標。

    如果實現(xiàn)了這一目標，不僅增強民族自豪感，有了自己的芯片，有了自己的光刻機，提高中國正能量。