三極管三極管在電路中通常用于信號的放大、開關(guān)等。在數(shù)據(jù)手冊上通常標有三個反向擊穿電壓數(shù)值：（1）Vceo：在集極開路的情況下，集電極和發(fā)射極之間的擊穿電壓；（2）Vcbo:在發(fā)射極開路的情況下，集電極和基極之間的擊穿電壓；（3）Vebo:在集電極開路的情況下，發(fā)射極與基極之間的擊穿電壓；三極管的三個反向擊穿電壓雖然在形式上，三極管看似為兩個反向的二極管串聯(lián)，但在工藝上，三極管的發(fā)射集區(qū)、基極區(qū)、集電極區(qū)半導體性質(zhì)和摻雜濃度不同，使得上面三個反向擊穿電壓不同，通常情況下它們之間的關(guān)系為：Vcbo>Vceo>>VeboTO-252封裝的超快速恢復二極管!深圳市凱軒業(yè)電子科技有限公司。深圳達林斯管

通常稱之為“整流”功能,可將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)槊}動直流電，整流二極管有單向?qū)щ娦裕梢詫⒎较蚪惶孀儞Q的交流電轉(zhuǎn)換為單一方向的脈沖直流電。2、限幅二極管兩端加正向電壓導通后，正向壓降基本保持不變，可以將信號的幅度限制在一定的范圍內(nèi)。3、續(xù)流在開關(guān)電源的電感中或繼電器的感性負載中起到續(xù)流的作用。4、變?nèi)萃ㄟ^施加反向電壓改變PN結(jié)的靜電容量，達到變?nèi)莸墓δ芏O管具有陽極和陰極兩個端子，電流只能往單一方向流動。也就是說，電流可以從陽極流向陰極，而不能從陰極流向陽極。對二極管所具備的這種單向特性的應用，通常稱之為“整流”功能,可將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)槊}動直流電深圳達林斯管雙極結(jié)型晶體管又稱為半導體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結(jié)結(jié)合在一起的器件。

三極管是一種控制元件，三極管的作用非常的大，可以說沒有三極管的發(fā)明就沒有現(xiàn)代信息社會的如此多樣化，電子管是他的前身，但是電子管體積大耗電量巨大，現(xiàn)在已經(jīng)被淘汰。三極管主要用來控制電流的大小，以共發(fā)射極接法為例（信號從基極輸入，從集電極輸出，發(fā)射極接地），當基極電壓UB有一個微小的變化時，基極電流IB也會隨之有一小的變化，受基極電流IB的控制，集電極電流IC會有一個很大的變化，基極電流IB越大，集電極電流IC也越大。反之，基極電流越小，集電極電流也越小，即基極電流控制集電極電流的變化

變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部“PN結(jié)”的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設計出來的一種特殊二極管。變?nèi)荻O管在無繩電話機中主要用在手機或座機的高頻調(diào)制電路上，實現(xiàn)低頻信號調(diào)制到高頻信號上，并發(fā)射出去。在工作狀態(tài)，變?nèi)荻O管調(diào)制電壓一般加到負極上，使變?nèi)荻O管的內(nèi)部結(jié)電容容量隨調(diào)制電壓的變化而變化。變?nèi)荻O管發(fā)生故障，主要表現(xiàn)為漏電或性能變差：（1）發(fā)生漏電現(xiàn)象時，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。（2）變?nèi)菪阅茏儾顣r，高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定，使調(diào)制后的高頻信號發(fā)送到對方被對方接收后產(chǎn)生失真。出現(xiàn)上述情況之一時，就應該更換同型號的變?nèi)荻O管。一旦確定了穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值之后，需要確定分壓電阻的阻值。

（四）發(fā)光二極管的檢測1．性能好壞的判斷用萬用表R×10k檔，測量發(fā)光二極管的正、反向電阻值。正常時，正向電阻值（黑表筆接正極時）約為10~20kΩ，反向電阻值為250kΩ~∞（無窮大）。較高靈敏度的發(fā)光二極管，在測量正向電阻值時，管內(nèi)會發(fā)微光。若用萬用表R×1k檔測量發(fā)光二極管的正、反向電阻值，則會發(fā)現(xiàn)其正、反向電阻值均接近∞（無窮大），這是因為發(fā)光二極管的正向壓降大于（高于萬用表R×1k檔內(nèi)電池的電壓值）的緣故。用萬用表的R×10k檔對一只220μF/25V電解電容器充電（黑表筆接電容器正極，紅表筆接電容器負極），再將充電后的電容器正極接發(fā)光二極管正極、電容器負極接發(fā)光二極管負極，若發(fā)光二極管有很亮的閃光，則說明該發(fā)光二極管完好。也可用3V直流電源，在電源的正極串接1只33Ω電阻后接發(fā)光二極管的正極，將電源的負極接發(fā)光二極管的負極（見圖4-74），正常的發(fā)光二極管應發(fā)光。或?qū)?節(jié)電池串接在萬用表的黑表筆（將萬用表置于R×10或R×100檔，黑表筆接電池負極，等于與表內(nèi)的電池串聯(lián)），將電池的正極接發(fā)光二極管的正極，紅表筆接發(fā)光二極管的負極，正常的發(fā)光二極管應發(fā)光。由于浪涌電流會使二極管在很短的時間內(nèi)產(chǎn)生大量熱，結(jié)溫快速上升，長治肖特基二極管.深圳達林斯管

肖特基二極管利用金屬與半導體接觸所形成的勢壘對電流進行控制。深圳達林斯管

MOS管現(xiàn)在用于高電壓、大電流下基本上都使用MOS管。由于工藝和材料的差異，N溝道的MOS管可以做到耐壓高、導通電流大。IXFK38N80是一款大功率MOS管，稱為HiPerFETPowerMOSFETS。數(shù)據(jù)手冊給定的參數(shù)為：擊穿電壓Vds=800V，工作電流：38A。下圖是測量該MOS管擊穿電壓與電流曲線，它的擊穿電壓與手冊規(guī)定的數(shù)值基本一致。IXFK38N80擊穿電壓電流曲線通常情況下，MOS管耐壓越高，導通電阻就越大，使得MOS的功耗增加。將MOS管與雙極性三極管符合，就形成IGBT功率管，它可以在高耐壓和低導通電阻兩方面做到兼容。G40N60是手邊的一款I(lǐng)GBT，手冊給出的擊穿電壓為。600V。下圖給出的擊穿電壓電流曲線顯示實際的擊穿電壓在750V左右。G40N60擊穿電壓電流曲線IGBT中由于存在雙極性三極管，它是利用少數(shù)載流子完成電流導通，所以IGBT的截止時間較長，無法工作在高頻電路中。近年來逐步推廣的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的頻率低的問題，在高電壓、低電阻、高頻率各方面都具有優(yōu)勢。C2M008012是一款碳化硅MOS管，在《碳化硅MOS管》介紹過它的原理和特性。C2M008012碳化硅MOS管但是在前面推文中對它的擊穿電壓電流曲線測量存在問題，主要是當時所使用的高壓電源功率太小造成的。深圳達林斯管